IRFI640GPBF, полевой транзистор 200 В 9.8 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.авг
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 180
IRFI640GPBF, транзистор N канал 200В 9.8А TO220FP
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.авг
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 180
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 40
Крутизна характеристики S,мА/В: 5.2
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220FP-3
Может заинтересовать
BC857B, SOT23
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
2SK1317-E, полевой транзистор 1500 В 2.5 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-3P
198НТ7А, сборка транзисторов Дарлингтона
Кол-во, транзисторов: 4
Полярность: NPN