IRFL024NTRPBF, полевой транзистор 55 В 4 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.авг
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 75
IRFL024NTRPBF, транзистор N канал 55В 4А SOT223
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.авг
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 75
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.1
Крутизна характеристики S,мА/В: 3
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOT223-3
Может заинтересовать
2Т9155Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
YJL2305B, полевой транзистор 20 В 5.4 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.апр
2Т903Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3