IRFR1018EPBF — N-канальный силовой MOSFET производства Infineon. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
IRFR1018EPBF рассчитан на 60 В. Максимальный ток по кристаллу достигает 79 А, а ток, ограниченный корпусом, — 56 А. Максимальное сопротивление открытого канала составляет 8,4 мОм. Исполнение — DPAK.
НТП «Интенсив» поставляет IRFR1018EPBF под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | IRFR1018EPBF |
| Производитель | Infineon |
| Тип | MOSFET |
| Канал | N-канал |
| VDS | 60 В |
| ID | 79 А по кристаллу; 56 А по корпусу |
| RDS(on) | ≤8,4 мОм |
| Корпус | DPAK |
| VGS max | ±20 В |
| VGS(th) | 2…4 В, тип. 3 В |
| Ptot | 110 Вт |
| Qg | тип. 46 нКл @10 В |
| Qgd | 12 нКл |
| RthJC | 1,32 К/Вт |
| Температурный диапазон | −55…+175 °C |
| Монтаж | SMD |
| MSL | 1 |
| Статус | not for new design |
Может заинтересовать
2Т828Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 5
КТ914А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.8
![IRLML5203, [SOT-23]; 30V 3A 300mW 85mR@10V,4.1A 3V@250?A P Channel MOSFETs ROHS; =IRLML5203(INFIN)](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-181.jpg)