IRFR420PBF, полевой транзистор 500 В 2.4 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.апр
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 3000
IRFR420PBF, транзистор N канал 500В 2.4А DPak
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.апр
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 3000
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 42
Крутизна характеристики S,мА/В: 1.5
Температура, С: -55…+150
Корпус: DPAK/TO-252AA
Может заинтересовать
IKFW60N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650 В 50 А
Максимальное напряжение питания, В: 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 50
Корпус: TO-247
IRF7342PBF, полевой транзистор 55 В 3.4 А
Структура: P-канал
Корпус: SOIC-8