IRFR9N20DPBF, полевой транзистор 200 В 9.4 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.апр
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 380
IRFR9N20DPBF, транзистор N канал 200В 9.4А DPak
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.апр
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 380
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 86
Крутизна характеристики S,мА/В: 4.3
Температура, С: -55...+175
Корпус: DPAK/TO-252AA
Может заинтересовать
КТ3102В, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
2Т826А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.75
