IRFU120NPBF, полевой транзистор 100 В 9.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.апр
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 210
IRFU120NPBF, транзистор Nкан 100В 9.1А IPak
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.апр
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 210
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 48
Крутизна характеристики S,мА/В: 2.7
Температура, С: -55...+175
Корпус: IPAK (TO-251AA)
Может заинтересовать
КТ630А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 120
BC857B,215, PNP транзистор 45В 0,1А SOT-23-3
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
FGH60N60SMD, IGBT транзистор
Максимальное напряжение питания, В: 600
Корпус: TO-247