IRLML0030TRPBF, полевой транзистор 30 В 5.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.мар
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 40
IRLML0030TRPBF, транзистор N канал 30В 5.3А Micro3/SOT23
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.мар
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 40
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В: 9.5
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
IRFBC30PBF, полевой транзистор 600 В 3.6 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн
КТ831А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2
CSD25310Q2, полевой транзистор 20 В 20 А
Структура: P-канал