IRLML6402, полевой транзистор 20 В 3.7 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.78
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 65
IRLML6402, Р-канальный силовой MOSFET, -20В, -3.7А, 1.3Вт [SOT-23] = IRLML6402TRPBF = SI2301BDS-T1-E
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.78
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 65
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В: 6
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
BC846BW, биполярный транзистор 80 В 0.1 А
Структура: NPN
Корпус: SOT-323
IRF9321PBF, полевой транзистор 30 В 15 А
Структура: P-канал
Корпус: SOIC-8
IRFP3306PBF, полевой транзистор 60 В 160 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 120