RS10N80F, МОП-транзистор , Pd - рассеивание мощности: 25 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 25
RS10N80F — N-канальный высоковольтный MOSFET Reasunos на 800 В в изолированном корпусе TO-220F.
Характеристики приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать условия измерения RDS(on), тепловой режим и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет RS10N80F и другие компоненты Reasunos под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | RS10N80F |
| Производитель | Reasunos |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| VDS | 800 В |
| ID | 10 А |
| RDS(on) typ @10 В | 1,0 Ом |
| RDS(on) max @10 В | 1,2 Ом |
| VGS(th) | 3…5 В |
| VGS leakage test | ±30 В |
| RthJC | 1,79 °C/Вт |
| RthJA | 62,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Монтаж | THT |
| Класс | Ultra-high-voltage MOSFET |
| Применение | Auxiliary power supplies, PC power supplies |
Документация производителя
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 25
Может заинтересовать
IRF7424TRPBF, полевой транзистор 30 В 11 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11
IRF7301TRPBF, полевой транзистор 20 В 5.2 А
Структура: 2N-канал
Корпус: SOIC-8
IRG4PC50UD-EPBF, IGBT транзистор 600 В 27 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 27
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2