RS4N80F, МОП-транзистор 25 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 25
RS4N80F — N-канальный высоковольтный MOSFET Reasunos на 800 В в корпусе TO-220F.
Характеристики приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать условия измерения RDS(on), тепловой режим и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет RS4N80F и другие компоненты Reasunos под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | RS4N80F |
| Производитель | Reasunos |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| VDS | 800 В |
| ID | 4 А |
| RDS(on) typ | 3,2 Ом |
| RDS(on) max | 3,8 Ом |
| Корпус | TO-220F |
| Монтаж | THT |
| Класс | Ultra-high-voltage MOSFET |
| Особенности серии | Высокое рабочее напряжение, сниженные утечки при высокой температуре |
| Применение | Auxiliary power supplies, PC power supplies |
Документация производителя
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 25
Может заинтересовать
YJS05N06A, полевой транзистор 60 В 5 А
Структура: N-канал
Корпус: SOP-8
IRLML2246TRPBF, транзистор P канал20В -2.6A лог Micro3/SOT23
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.6
BCP53-16.115, Транзисторы и сборки биполярные
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80