SPW35N60C3 — N-канальный высоковольтный CoolMOS C3 MOSFET производства Infineon. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
SPW35N60C3 рассчитан на высоковольтные силовые преобразователи. В официальной документации указаны напряжение до 650 В, ток стока 34,6 А и сопротивление открытого канала 0,1 Ом. Корпус — PG-TO247.
НТП «Интенсив» поставляет SPW35N60C3 под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | SPW35N60C3 |
| Производитель | Infineon |
| Тип | CoolMOS C3 MOSFET |
| Канал | N-канал |
| VDS | до 650 В |
| ID | 34,6 А |
| RDS(on) | 0,1 Ом |
| Корпус | PG-TO247 |
| Рассеиваемая мощность | 313 Вт |
| VGS max | ±20 В DC, ±30 В AC |
| ID pulse | 103,8 А |
| Ptot | 313 Вт |
| Температурный диапазон | −55…+150 °C |
| VGS(th) | 2,1…3,9 В, тип. 3 В |
| Qg | тип. 150 нКл, max 200 нКл |
| Qgd | тип. 70 нКл |
| Ciss | тип. 4500 пФ |
| Coss | тип. 1500 пФ |
| RthJC | ≤0,4 К/Вт |
Может заинтересовать
КТ3102Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50
IRLML9301, полевой транзистор 30 В 3.6 А
Корпус: SOT-23
SS8550-H, биполярный транзистор 25 В 1.5 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-23-3