SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 650В 47А 70мОм TO247
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 47
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 70
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 650В 47А 70мОм TO247
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 47
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 70
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 415
Корпус: TO-247AC
Может заинтересовать
FZT651TA, биполярный транзистор 60 В 3 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
2Т603Г, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 15
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 15
SS8050-HQ, биполярный транзистор 25 В 1.5 А
Структура: NPN
Корпус: SOT-23-3