STW15NK50Z, MOSFET транзистор
STMicroelectronics

STW15NK50Z, MOSFET транзистор

Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 340
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 160
Все характеристики Запросить предложение

STW15NK50Z — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics серии SuperMESH. Номинальное напряжение сток–исток составляет 500 В, ток стока — 14 А.

Транзистор выполнен в корпусе TO-247. Технология SuperMESH предназначена для снижения потерь и обеспечения высокой стойкости к dv/dt в высоковольтных ключевых схемах.

Типичное сопротивление открытого канала составляет 300 мОм typ.. При выборе необходимо учитывать реальный тепловой режим, напряжение управления затвором и условия переключения.

ООО НТП «Интенсив» поставляет STW15NK50Z и другие силовые MOSFET STMicroelectronics под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.

Основные параметры STW15NK50Z

Параметр Значение
Модель / артикул STW15NK50Z
Производитель STMicroelectronics
Серия SuperMESH
Тип N-канальный силовой MOSFET
VDS 500 В
ID 14 А
RDS(on) 300 мОм typ.
Корпус TO-247
RDS(on), max 0,34 Ом
Ptot 160 Вт
Температурный диапазон −55…+150 °C
Статус Active
Класс Industrial
RoHS Ecopack2
Особенности 100% avalanche tested; minimized gate charge; low intrinsic capacitances

Документация производителя

Официальная карточка STMicroelectronics

Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 340
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 160
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO-247-3