TLE5212G, транзистор 2x0.5A 4x50mA low-side SO28
Структура: Инт. ключ
Максимальное напряжение питания, В: 24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 800
Особенности: Интеллектуальный ключ с защитой
TLE5212G, транзистор 2×0.5A 4x50mA low-side SO28
Структура: Инт. ключ
Максимальное напряжение питания, В: 24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 800
Особенности: Интеллектуальный ключ с защитой
Корпус: SO-28
Может заинтересовать
IRF7828TRPBF, N канал транзистор 30В 100А SO8
Структура: N-канал
Корпус: SOIC-8
IRS25751LTRPBF, драйвер 480В SOT-23-5L
Корпус: SOT-23
