VBE165R07S — N-канальный Super Junction MOSFET производства VBsemi. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
VBE165R07S относится к высоковольтным Super Junction MOSFET на напряжение 650 В. Максимальное сопротивление открытого канала составляет 0,61 Ом при VGS = 10 В.
НТП «Интенсив» поставляет VBE165R07S под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | VBE165R07S |
| Производитель | VBsemi |
| Тип | Super Junction MOSFET |
| Канал | N-канал |
| VDS | 650 В |
| RDS(on) | ≤0,61 Ом @ VGS=10 В |
| ID | 7 А |
| VGS(th) | 3,5 В |
| Корпус | TO-252 |
| Технология | Super Junction / SJ_Multi-EPI |
| Конфигурация | Single-N |
| Монтаж | SMD |
Может заинтересовать
BC857CW, биполярный транзистор 50 В 0.1 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-323
2Т903Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3
IRF7304TRPBF, полевой транзистор 20 В 4.7 А
Корпус: SOIC-8