WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 30

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 30

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 5

Все характеристики Запросить предложение

WMQ30N03T2 — N-канальный trench MOSFET Wayon на 30 В в корпусе PDFN3030-8L.

Параметры ниже приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать режим работы, тепловые условия и параметры управления затвором.

ООО НТП «Интенсив» поставляет WMQ30N03T2 и другие компоненты Wayon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Основные параметры

Модель / артикул	WMQ30N03T2
Производитель	Wayon
Тип	N-канальный enhancement-mode power MOSFET
Технология	High-cell-density trench
VDS	30 В
VGS max	±20 В
ID @TC=25 °C	30 А
ID @TC=100 °C	24 А
ID pulse	100 А
RDS(on) max @10 В	6,3 мОм
RDS(on) max @4,5 В	9,0 мОм
EAS	28,8 мДж
Ptot	24 Вт
RthJA	60 °C/Вт
RthJC	5,2 °C/Вт
Температурный диапазон	−55…+150 °C
Корпус	PDFN3030-8L
Монтаж	SMD

Документация производителя

Официальный datasheet Wayon WMQ30N03T2