YJG175G06AR, полевой транзистор 60 В 175 А
Структура: N-канал
Корпус: PDFN5060-8L
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
Структура: N-канал
Корпус: PDFN5060-8L
Может заинтересовать
IRFR9024NTRPBF-VB, полевой транзистор 55 В 11 А
Структура: P-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFP4321PBF, полевой транзистор 150 В 78 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: -150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 78