YJG200G04AR, полевой транзистор 40 В 200 А
Структура: N-канал
Корпус: PDFN5060
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
Структура: N-канал
Корпус: PDFN5060
Может заинтересовать
SIS447DN-T1-GE3, полевой транзистор 20 В 18 А
Структура: P-канал
Корпус: PowerPAK 1212
2N7002K-T1-GE3, N канал транзистор 60В 300мА SOT-23-3 (TO-236)
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23-3
BC807-40.215, биполярный транзистор 50 В 500 мА
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45