YJG90G10A, полевой транзистор 100 В 90 А

Структура: N-канал

Корпус: PDFN 5x6

Все характеристики Запросить предложение

YJG90G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN 5X6] = FDMS8615

Структура: N-канал

Корпус: PDFN 5x6

Может заинтересовать

Транзисторы ON Semiconductor

KSE340STU, TO-126F

Корпус: TO-126F

Запросить предложение

Транзисторы Motorola

2N3439, биполярный транзистор 350 В 1 А

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 450

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 350

Запросить предложение