2П306Б, полевой транзистор
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 4
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.02
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.15
Крутизна характеристики S,мА/В: 5
2П306Б, транзистор полевой
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 4
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.02
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.15
Крутизна характеристики S,мА/В: 5
Корпус: KT-112
Может заинтересовать
КТ361Д1, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
IRF5305STR-VB, полевой транзистор 55 В 31 А
Корпус: D2PAK
ULN2003APG, сборка транзисторов Дарлингтона
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7