CM1000DXL-24S — IGBT-модуль, 1000А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 900
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
CM1000DXL-24S, модуль 2 IGBT 1000А 1200В поколение NX6
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 900
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
CM300DY-13T#300G — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25
Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль
