CM150DX-34SA — IGBT-модуль, 150А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Структура модуля: одиночный транзистор
