RA07H4047M-501, 400-470MHz 7W 12.5V, = RA07H4047M-101
Mitsubishi Electric

RA07H4047M-501, 400-470MHz 7W 12.5V, = RA07H4047M-101

Запросить предложение

RA07H4047M-501, 400-470MHz 7W 12.5V, = RA07H4047M-101

Может заинтересовать

GD150HFL120C8S — IGBT-модуль
Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor
GD150HFL120C8S — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
Запросить предложение
GD600HFY120C6S — IGBT-модуль, 600А, 1200В
Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor
GD600HFY120C6S — IGBT-модуль, 600А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600
Запросить предложение
GD150HFY120C1S — IGBT-модуль
Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor
GD150HFY120C1S — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
Запросить предложение