DG120X07T2, IGBT транзистор 650 В 120 А
Максимальное напряжение питания, В: 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 120
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Корпус: TO-247
DG120X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss , 650V/120A IGBT with Diode
Максимальное напряжение питания, В: 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 120
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Корпус: TO-247
Может заинтересовать
IRLML2502TRPBF, полевой транзистор 20 В 4.2 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
IRLML0060TRPBF, полевой транзистор 60 В 2.7 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.июл
CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.2