IRGP4063DPBF, IGBT транзистор 600 В 48 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная частота переключения, кГц: 30
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
IRGP4063DPBF, IGBT транзистор 600В 48А TO247AC
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная частота переключения, кГц: 30
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Мощность макс.,Вт: 330
Корпус: TO247AC
Может заинтересовать
CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142
Структура: 2P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 10
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -80
КТ972А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 4
2SC1815, биполярный транзистор 50 В 0.15 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50