CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142
Структура: 2P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 10
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -80
Корпус: D2PAK
CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142
Структура: 2P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 10
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -80
Корпус: D2PAK
Может заинтересовать
MJE5731A, биполярный транзистор 350 В 1 А
Структура: PNP
IRFP4321PBF, полевой транзистор 150 В 78 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: -150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 78
КТ9181Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3