ULN2003ADR, сборка транзисторов Дарлингтона
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7
Диапазон рабочих температур, гр.С: -20.00…85.00
Конфигурация: общий эммитер
ULN2003ADR, матрица из 7 транзисторов, драйвер на 7 каналов SO16
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7
Диапазон рабочих температур, гр.С: -20.00…85.00
Конфигурация: общий эммитер
Полярность: NPN
Корпус: SO16
Может заинтересовать
IRF5803D2PBF, полевой транзистор 40 В 3.4 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.4
2Т862Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
![2SK2645, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/115-4.jpg)
2SK2645, Транзистор, N-канал [TO-220F]
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 9