ULN2003AFWG, сборка транзисторов Дарлингтона
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7
Диапазон рабочих температур, гр.С: -40.00....+85.00
Конфигурация: общий эммитер
ULN2003AFWG, драйвер-расширитель на 7 каналов SO16
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7
Диапазон рабочих температур, гр.С: -40.00....+85.00
Конфигурация: общий эммитер
Полярность: NPN
Корпус: SO16
Может заинтересовать
IRF5305PBF, полевой транзистор 55 В 31 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -31
IRGP4063DPBF, IGBT транзистор 600 В 48 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
![IRLML5203, Р-канальный силовой MOSFET транзистор, -30B, -24A [SOT-23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-180.jpg)