BC817-40LT1G, биполярный транзистор 50 В 500 мА
ON Semiconductor

BC817-40LT1G, биполярный транзистор 50 В 500 мА

Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250
Все характеристики Запросить предложение

BC817-40LT1G, NPN транзитор 50В 500мА SOT-23-3

Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250
Hfe при токе коллектора, А: 0.1
Hfe при напряжении к-э, В: 1
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.225
Корпус: SOT-23-3
Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150

Может заинтересовать

MJE15034G, биполярный транзистор 350 В 4 А
Запросить предложение
BC856B.215, биполярный транзистор 65 В 0.1 А
Транзисторы NEX-NXP
BC856B.215, биполярный транзистор 65 В 0.1 А
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65
Запросить предложение
КТ209И, биполярный транзистор
Транзисторы Далекс
КТ209И, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Запросить предложение