BC846BLT1G, биполярный транзистор 80 В 100 мА
ON Semiconductor

BC846BLT1G, биполярный транзистор 80 В 100 мА

Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Корпус: SOT-23-3
Все характеристики Запросить предложение

BC846BLT1G, NPN транзистор 80В 100мА SOT-23-3

Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Корпус: SOT-23-3

Может заинтересовать

10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS; STP9N65M=(ST)
Запросить предложение
КТ9136АС, биполярный транзистор
Транзисторы Россия
КТ9136АС, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 17
Запросить предложение
UMD22N, биполярный транзистор 50 В 100 мА
Запросить предложение