BC847CW, SOT323
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420
BC847CW — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: NPN. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2
Корпус: SOT-323
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
Может заинтересовать
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200 В 35 А
Максимальное напряжение питания, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 35
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
RS100N135T, полевой транзистор 100 В 135 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 135
IRFZ48NPBF, TO-220AB MOSFETs ROHS
Корпус: TO-220AB