BC856B, биполярный транзистор 80 В 100 мА
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 125
BC856B, двунаправленный PNP транзистор, -80В, -100мА, 225мВт [SOT-23]
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 125
Hfe при токе коллектора, А: 0.002
Hfe при напряжении к-э, В: 5
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.225
Корпус: SOT-23-3
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
Может заинтересовать
IAUC120N04S6N009ATMA1, полевой транзистор 40 В 120 А
Структура: N-канал
Корпус: TDSON-8
КП303А, полевой транзистор
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 3
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
CSD18537NQ5AT, полевой транзистор 60 В 50 А
Структура: N-канал