BC857C, двунаправленный PNP транзистор, -50В, -100мА, 200мВт [SOT-23]
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420
BC857C, двунаправленный PNP транзистор, -50В, -100мА, 200мВт [SOT-23]
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420
Hfe при токе коллектора, А: 0.002
Hfe при напряжении к-э, В: 5
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25
Корпус: SOT-23-3
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
![BC857C, двунаправленный PNP транзистор, -50В, -100мА, 200мВт [SOT-23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-94.jpg)