BCP56-16.115, биполярный транзистор 80 В 1 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 180
BCP56-16.115, NPN транзистор 80В 1А SOT-223
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 180
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.65
Корпус: SOT-223
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
Может заинтересовать
IRF3711ZPBF, полевой транзистор 20 В 92 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 92
FGH60N60SMD, IGBT транзистор
Максимальное напряжение питания, В: 600
Корпус: TO-247
IRFZ44NPBF, полевой транзистор 55 В 49 А
Корпус: TO-220AB