ON Semiconductor

MJD44H11G, DPAK-3, Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 8

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40

Hfe при токе коллектора, А: 4

Все характеристики Запросить предложение

MJD44H11G — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: NPN, 8 А, корпус DPAK. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 8

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40

Hfe при токе коллектора, А: 4

Hfe при напряжении к-э, В: 1

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 85

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 20

Корпус: DPAK/TO-252AA

Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150

MJD44H11G, DPAK-3, Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт

Может заинтересовать