MMBT3906LT1G, MMBT3906LT1G
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
MMBT3906LT1G — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Hfe при токе коллектора, А: 0.05
Hfe при напряжении к-э, В: 1
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.225
Корпус: SOT-23-3
Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150
Может заинтересовать
IRLML6401, полевой транзистор 12 В 4.3 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4/-3
IRF8252TRPBF, полевой транзистор 25 В 25 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 25