MMBT5401, биполярный транзистор 160 В 600 мА
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.3
Корпус: SOT-23-3
MMBT5401, двунаправленный PNP транзистор, -160В, -600мА, 300мВт [SOT-23]
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.3
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
IRFB31N20DPBF, TO-220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -31
КТ8180А, биполярный транзистор
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт):
Корпус: TO218
SPP03N60S5, полевой транзистор 600 В 3.2 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.фев