MMBTH10, биполярный транзистор 30 В 50 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.225
Корпус: SOT-23-3
MMBTH10, двунаправленный NPN транзистор, 30В, 50мА, 225мВт [SOT-23]
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.225
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
IRLML6246TRPBF, полевой транзистор 20 В 4.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.янв
CSD16409Q3, полевой транзистор 25 В 60 А
Структура: N-канал
IRFP90N20DPBF, полевой транзистор 200 В 94 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-247AC