RSG40N120W, биполярный транзистор с изолированным затвором , IC=40А, VCES=1200 В
RSG40N120W, биполярный транзистор с изолированным затвором , IC=40А, VCES=1200 В
Может заинтересовать
MMBTA92LT1G, PNP транзистор 300В 0.5А SOT-23-3
Структура: PNP
Корпус: SOT-23-3
КТ602АМ, транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.075
BC857CW, SOT323
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45