SI2301CDS-T1-GE3, транзистор P-канал 20В 3.1A SOT23-3
Корпус: SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3 — полевой MOSFET-транзистор. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в импульсных и силовых схемах. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: 20 В, 3.1 А, корпус SOT23. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
КТ3102Е, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 20
IRLR3110ZPBF, DPAK/TO-252AA
Корпус: DPAK/TO-252AA
2Т208Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30