SI2318CDS-T1-GE3, транзистор, N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Корпус: SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3 — полевой MOSFET-транзистор. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в импульсных и силовых схемах. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: 40 В, 5.6 А, корпус SOT-23. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
2SC2712, биполярный транзистор 60 В 150 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50
ULN2803ADWR, сборка транзисторов Дарлингтона
Uвх., В: 30
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 47