2Т201Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.02
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
2Т201Б, (1990-1992)
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.02
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 10
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.15
Корпус: КТ-1-9 (TO-18)
Может заинтересовать
UMD12N, биполярный транзистор 50 В 100 мА
Структура: NPN+PNP
Корпус: SOT-363-6
IRF7304TRPBF, полевой транзистор 20 В 4.7 А
Корпус: SOIC-8
IRFHM830DTRPBF, полевой транзистор 30 В 40 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -40