IRFHM830DTRPBF, полевой транзистор 30 В 40 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -40
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 04.мар
IRFHM830DTRPBF, транзистор N канал 30В 40А 4.3мОм PQFN3.3×3.3
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -40
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 04.мар
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 37
Крутизна характеристики S,мА/В: 69
Температура, С: -55…+150
Корпус: PQFN3.3x3.3
Может заинтересовать
BC857C, биполярный транзистор 50 В 100 мА
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
IRGSL14C40LPBF, IGBT транзистор 400 В 14 А
Максимальное напряжение питания, В: 400
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 14
Корпус: TO-262
IRLML6401TRPBF, полевой транзистор 12 В 4.3 А
Структура: P-канал
Корпус: SOT-23