2Т652А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
2Т652А, транзистор биполярный
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1
Может заинтересовать
YJL2301C, полевой транзистор 20 В 3.4 А
Структура: P-канал
Корпус: SOT-23
2Т9155Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
IRF7807ZTRPBF, полевой транзистор 30 В 8.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11