2Т819А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
2Т819А, транзистор N-P-N
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 3
Корпус: KT-9
Может заинтересовать
IRF5305PBF, полевой транзистор 55 В 31 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -31
КТ503В, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15