2Т819В, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
2Т819В, транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 3
Корпус: KT-9
Может заинтересовать
IRFBE30PBF, полевой транзистор 800 В 4.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.янв
SI2318CDS-T1-GE3, полевой транзистор 40 В 5.6 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
IRF1010EPBF, полевой транзистор 60 В 81 А
Корпус: TO-220AB