2Т932А, транзистор, ОСМ
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 30
2Т932А, транзистор, ОСМ
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 20
Корпус: KT-9
Может заинтересовать
![BCP56-16, NPN транзистор в пластиковом корпусе, 100В, 1А, 1.5Вт [SOT-223]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/98-5.jpg)
BCP56-16, NPN транзистор в пластиковом корпусе, 100В, 1А, 1.5Вт [SOT-223]
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
IRFB4332PBF, транзистор Nкан 250В 60А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 60
IPW60R041C6FKSA1, транзистор 600В TO-247
Корпус: TO-247-3