CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
CSD23201W10 — P-канальный NexFET MOSFET в сверхкомпактном исполнении производства Texas Instruments. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
CSD23201W10 рассчитан на напряжение сток–исток −12 В и ток стока до −2,2 А. Сопротивление открытого канала составляет до 66 мОм при VGS = −4,5 В, 77 мОм при −2,5 В и 110 мОм при −1,5 В. Площадь корпуса — около 1×1 мм.
НТП «Интенсив» поставляет CSD23201W10 под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | CSD23201W10 |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип | NexFET MOSFET |
| Канал | P-канал |
| VDS | −12 В |
| ID | до −2,2 А |
| RDS(on) | ≤66 мОм @ −4,5 В; ≤77 мОм @ −2,5 В; ≤110 мОм @ −1,5 В |
| Корпус | DSBGA, около 1×1 мм |
| VGS max | −6 В |
| ID pulse | −8,8 А |
| Ptot | 1 Вт |
| Температурный диапазон | −55…+150 °C |
| VGS(th) | −0,4…−1,0 В, тип. −0,6 В |
| Qg | тип. 1,8 нКл, max 2,4 нКл |
| Qgd | 0,26 нКл |
| Ciss | тип. 250 пФ, max 325 пФ |
| Coss | тип. 125 пФ, max 155 пФ |
| Crss | тип. 32 пФ, max 42 пФ |
| ESD | 3 кВ |
Может заинтересовать
