КТ3129Г9, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
КТ3129Г9, SOT-23, переп 2017
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.075
Корпус: KT-46
Может заинтересовать
IRF610PBF, полевой транзистор 200 В 3.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.мар
RS65R041W, МОП-транзистор , 500 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 500
КТ603Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30