IRF610PBF, полевой транзистор 200 В 3.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.мар
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 1500
IRF610PBF, транзистор N канал 200В 3.3А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.мар
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 1500
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 36
Крутизна характеристики S,мА/В: 0.8
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
1Т403И, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
2П301Б, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 5.4
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2